强强联合!福芯电子与中科院微电子所签约合作

日期:2018-01-31 / 人气: / 来源:

        2018年1月中旬,福芯电子与中国科学院微电子研究所成功签约,双方正式就8寸TRENCH MOSFET产品研究开发和生产加工达成合作。
        中国科学院微电子研究所是微电子领域研究与开发的国立研究机构,是国家集成电路制造领域前瞻性先导技术研发的牵头组织单位。此次与中科院微电子研究所进行产品联合开发及生产,对于福芯电子产品线的丰富和电池保护IC产品的供应链完善都具有重要意义。量产后,预计可新增出货量3000片/月(8英寸晶圆),新增营业收入超过5000万元/年。                                                         
        未来,除8寸TRENCH MOSFET产品外,双方将继续就第三代新材料SiC功率器件展开进一步合作。近年来,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料器件正引发全球瞩目,由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点,可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域,被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术,应用前景和市场潜力巨大。SiC功率器件是福芯电子2018年重点项目之一,与中科院的持续深入合作,将使福芯电子成为国内领先的SiC功率器件领导企业。



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